رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TSM60NB099CF C0G
Product Overview
المُصنّع:
Taiwan Semiconductor Corporation
رقم الجزء DiGi Electronics:
TSM60NB099CF C0G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 38A ITO220S
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 38A (Tc) 69W (Tc) Through Hole ITO-220S
المخزون:
905 قطع جديدة أصلية في المخزون
12896678
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
VsNn
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TSM60NB099CF C0G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Taiwan Semiconductor
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
38A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
99mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2587 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
69W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
ITO-220S
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
TSM60
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
TSM60NB099CF C0G-DG
TSM60NB099CFC0G
-2068-TSM60NB099CFC0G
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TSM60NB099CF
المُصنِّع
Taiwan Semiconductor Corporation
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
TSM60NB099CF-DG
سعر الوحدة
6.64
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
STF40N65M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STF40N65M2-DG
سعر الوحدة
2.83
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TSM80N08CZ C0G
MOSFET N-CHANNEL 75V 80A TO220
DMP3008SFG-7
MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
TSM10N80CI C0G
MOSFET N-CH 800V 9.5A ITO220AB